电子基础第1章上

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1、模拟信号模拟信号是指在时间和数值上都是指在时间和数值上都连续连续的信号。的信号。数字信号数字信号是指在时间和数值上都是指在时间和数值上都不连续不连续的信的信号，即所谓离散的。号，即所谓离散的。tt 学习电子技术，就是要掌握常用半导体器件的学习电子技术，就是要掌握常用半导体器件的原理、特性，以及由这些器件所组成的电子电路原理、特性，以及由这些器件所组成的电子电路的分析方法。二极管与晶体管是最常用的半导体的分析方法。二极管与晶体管是最常用的半导体器件，而器件，而PN结是构成各种半导体器件的基础。结是构成各种半导体器件的基础。 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。半导体是导电能力介于导体和绝

2、缘体之间的物质。 例如：硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫例如：硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。化物都是半导体。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别。共价健共价健 Si Si Si Si价电子价电子 Si Si Si Si价电子价电子这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴自由电子自由电子 Si Si Si Sip+多多余余电电子子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴 PN结是通过特殊的半导体制造技术，

3、在一块半导结是通过特殊的半导体制造技术，在一块半导体基片上掺入不同的杂质，使其一边为体基片上掺入不同的杂质，使其一边为N型半导体，型半导体，另一边为另一边为P型半导体，其交界面便形成了型半导体，其交界面便形成了PN结结。 PN结是通过特殊的半导体制造技术，在一块半导结是通过特殊的半导体制造技术，在一块半导体基片上掺入不同的杂质，使其一边为体基片上掺入不同的杂质，使其一边为N型半导体，型半导体，另一边为另一边为P型半导体，其交界面便形成了型半导体，其交界面便形成了PN结结。+ PN 结也称空间电荷区、或耗尽层、或内电场、结也称空间电荷区、或耗尽层、或内电场、或阻挡层。或阻挡层。 多子的扩散运动多

4、子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差 扩散的结果使空扩散的结果使空间电荷区变宽。间电荷区变宽。+形成空间电荷区形成空间电荷区PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF内电场内电场PN+ 内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR+ 二极管是最基本的电子元件，其内部主要是二极管是最基本的电子元件，其内部主要是一个一个PN结，加上引出的两个电极。结，加上引出的两个电极。阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c

5、 ) 平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型阴极阴极阳极阳极( d ) 符号符号D反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是理想的，若二极管是理想的，例例1：D6V12V3k BAUAB+例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+例例3:+6VRDAVAVBVYDB当当V

6、A = 3V，VB = 0V时，分析输出端的电位时，分析输出端的电位VY。理想二极管：理想二极管：VY = VB = 0V UDB UDA DB 优先导通优先导通， DA截止截止。 锗二极管：锗二极管：VY = VB + UD = 0.3V 硅二极管：硅二极管：VY = VB + UD = 0.7V-6VRDAVAVBVYDB UDA UDB DA 优先导通优先导通， DB截止截止。理想二极管：理想二极管：VY = VA = 3V 锗二极管：锗二极管：VY = VA - UD = 2.7V 硅二极管：硅二极管：VY = VA - UD = 2.3V下一节下一节上一页上一页下一页下一页返返 回回