《传感器与检测技术》胡向东ch07-1

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1、123IBKUHHHKHULbdBIHEIHUxyz半导体I4evBqvBFLHEeEFbUEHH而bvBUHpedIBUHIBKUHHLbdBIHEIHUxyznedIBUHdIBRUHH或neRH1peRH1霍尔系霍尔系数数)(enbdvI5pqu1nqu1neRH1peRH1uRH半导体半导体绝缘体绝缘体金属金属输入1输入2输出1输出2磁性顶端引线衬底霍尔元件6bdlIRIWHH221/2TdAbIHTlbAW 22A7)(磁通密度TB)霍尔电压( mV)(恒流CmA2510)(磁通密度TB)霍尔电压( mV)(恒压CV2518 型型号号 材材料料 控控制制 电电流流(mA) 霍霍尔尔
2、电电压压 (mV, 0.1T) 输输入入 电电阻阻 () 输输出出 电电阻阻 () 灵灵敏敏度度(mV/mA.T) 不不等等位位电电势势(mV) VH温温度度 系系数数(%/) EA218 InAs 100 8 8. .5 5 3 3 1 1. .5 5 0 0. .3 35 5 1 13 3 6 6. .5 5 2 2. .4 4 0 0. .7 75 5 1 1 0 0. .0 07 7 VHG-110 GaAs 5 5 5 - -1 10 0 2 20 00 0- -8 80 00 0 2 20 00 0- -8 80 00 0 3 30 0- -2 22 20 0 5 5 4 40 0
3、 3 30 0 2 2. .5 5 _ _ - -0 0. .0 02 2 MF07FZZ InSb 10 4 40 0- -2 29 90 0 8 8- -6 60 0 8 8- -6 65 5 _ _ 1 10 0 - -2 2 MF19FZZ InSb 10 8 80 0- -6 60 00 0 8 8- -6 60 0 8 8- -6 65 5 _ _ 1 10 0 - -2 2 MH07FZZ InSb 1V 8 80 0- -1 12 20 0 8 80 0- -4 40 00 0 8 80 0- -4 43 30 0 _ _ 1 10 0 - -0 0. .3 3 MH19FZZ