1. 首页
  2. 文档大全

电磁兼容理论基础-第三部分

上传者:bett****emm 2022-05-26 20:15:31上传 PPT文件 3.54MB
电磁兼容理论基础-第三部分_第1页 电磁兼容理论基础-第三部分_第2页 电磁兼容理论基础-第三部分_第3页

《电磁兼容理论基础-第三部分》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电磁兼容理论基础-第三部分(53页珍藏版)》请在文档大全上搜索。

1、电磁兼容理论基础-第三部分23456i7iiNiLtiLudd8uq 9quuqC/tuCiccdd1011元件引线元件引线12u导线是实际电路中的一类重要元件,导线的非理导线是实际电路中的一类重要元件,导线的非理想性主要体现在导线的电阻和电感效应方面。当信想性主要体现在导线的电阻和电感效应方面。当信号频率较高时,导线的电感效应要远远大于其电阻号频率较高时,导线的电感效应要远远大于其电阻效应。效应。u在直流情况下,导线中的电流均匀分布在横在直流情况下,导线中的电流均匀分布在横截面上。圆形导线的单位长直流电阻为:截面上。圆形导线的单位长直流电阻为:13u随频率的升高,集肤效应将导致导线截面上的随

2、频率的升高,集肤效应将导致导线截面上的电流向导线边缘分布,集肤深度为:电流向导线边缘分布,集肤深度为:u信号频率越高,集肤深度越小。当集肤深度信号频率越高,集肤深度越小。当集肤深度远小于导线半径时,电流将主要分布在具有集远小于导线半径时,电流将主要分布在具有集肤深度的导体表面附近的带状区域。此时导线肤深度的导体表面附近的带状区域。此时导线只利用了其很薄的一部分金属。只利用了其很薄的一部分金属。14对于低频情况,由于肌肤深度大于或与导体半径相当时,导线的对于低频情况,由于肌肤深度大于或与导体半径相当时,导线的单位长电阻单位长电阻对于高频情况,导线的单位长电阻为对于高频情况,导线的单位长电阻为对于

3、直流和低频情况,导线的单位长内电感为对于直流和低频情况,导线的单位长内电感为对于高频情况,倒显得单位长内电感为对于高频情况,倒显得单位长内电感为15对于具有半径相等和间距恒定的平行导线,当导线的间对于具有半径相等和间距恒定的平行导线,当导线的间距大于五倍及以上导线半径时,导线之间的邻近效应可距大于五倍及以上导线半径时,导线之间的邻近效应可以忽略不计。此时,导线单位长电感为:以忽略不计。此时,导线单位长电感为:16对于长度为对于长度为l的一对半径相等、间距恒定的平行导线,的一对半径相等、间距恒定的平行导线,其总电感为其总电感为对于半径相等和间距恒定的平行导线,有时还要对于半径相等和间距恒定的平行

4、导线,有时还要考虑导线之间的电容。导线单位长电容为考虑导线之间的电容。导线单位长电容为17非理想电阻的等效电路及简化等效电路非理想电阻的等效电路及简化等效电路18R为电阻元件的电阻Llead为电阻元件两条引线的等效电感Cleadage引线电容与电阻元件两端电极之间电容之和Cpar引线的寄生电容电阻元件的非理想效应将影响电阻元件的频率特性,特电阻元件的非理想效应将影响电阻元件的频率特性,特别对于高阻值的电阻元件,由于寄生电容的存在,将导别对于高阻值的电阻元件,由于寄生电容的存在,将导致电阻元件的高频特性变差。致电阻元件的高频特性变差。192021222324252627BSB 28NINIF 29lNIlFHm/A30HB31SlFSlFHSBSmRmRF32 N 衔铁 L2 , 2 L3 , 3 L1 , 1 I 33333222111SlSlSlFRFm333222111SlSlSlRINFm333222111lBlBlBHllHlHlH3322113435363738394041424344tedd S e 45llBvd)(llBvted)(46ellEe d StBtlESldd 470d)(s StD48tDd0dtD49StDiiiilHsdldd 0 50StDilHsldd StBlEsldd QSDs d0d ssB51tDHtBE D0 B52HBEDE53


文档来源:https://www.renrendoc.com/paper/212451215.html

文档标签:

下载地址